Samsung 9100 Pro je izjemno hiter NVMe 2.0 SSD disk formata M.2 2280 s PCIe 5.0 x4 vodilom in kapaciteto 4 TB. Dosega vrhunske hitrosti branja do 14.800 MB/s in pisanja do 13.400 MB/s, zato je odlična izbira za oblikovalce, fotografe, video urednike, ustvarjanje z umetno inteligenco in zahtevne igralce iger.
Napreden Samsung V-NAND TLC pomnilnik in učinkovit 5 nm kontroler zagotavljata visoko zmogljivost, nizko porabo energije ter zanesljivo delovanje tudi pri dolgotrajnih obremenitvah. Optimizirano hlajenje poskrbi, da disk ostane hiter in stabilen brez upočasnitev.
PCIe 5.0 hitrosti
Z vodilom PCIe 5.0 x4 Samsung 9100 Pro občutno pohitri delo in igre. Velike datoteke se prenašajo, kopirajo in premikajo do 2x hitreje kot pri modelu Samsung 990 Pro, kar skrajša čakalne dobe pri renderiranju, arhiviranju in nameščanju iger.
Vrhunska naključna zmogljivost
Disk dosega hitrosti naključnega branja do 2.200K IOPS in pisanja do 2.600K IOPS (odvisno od kapacitete). To omogoča izjemno hitro nalaganje iger, učinkovito večopravilnost ter odzivno delo pri projektih umetne inteligence, obdelavi videa in profesionalnem oblikovanju.
Široka kompatibilnost
Samsung 9100 Pro je združljiv s širokim naborom prenosnikov in namiznih računalnikov, ki podpirajo M.2 2280 NVMe pogone. Na voljo je v različnih kapacitetah, zato je primeren tako za video produkcijo in profesionalno ustvarjanje kot za vrhunske gaming konfiguracije.
Hladen in energijsko učinkovit
Vgrajeni 5 nm Samsung kontroler je do 49 % učinkovitejši pri porabi energije v primerjavi z modelom 990 Pro. Skupaj z optimiziranim hlajenjem skrbi za konsistentno delovanje, visoke hitrosti in manj thermal throttlinga tudi pri dolgotrajnih, zahtevnih opravilih.
Napredne funkcije in varnost podatkov
Intelligent TurboWrite 2.0 s predpomnilnikom 442 GB izboljša hitrosti pisanja pri večjih datotekah. Napredne možnosti šifriranja (AES 256, TCG/Opal 2.0, MS eDrive) ščitijo vaše podatke, zato je disk primeren tudi za poslovno rabo in občutljive projekte.
Tehnične lastnosti:
- Format diska: M.2 2280
- Vmesnik / vodilo: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
- Kapaciteta: 4 TB (4.000 GB)
- Tip čipov (NAND): Samsung V-NAND TLC (V8)
- Kontroler: Samsung, 5 nm
- Cache pomnilnik: 4 GB LPDDR4X
- Hitrost sekvenčnega branja: do 14.800 MB/s
- Hitrost sekvenčnega pisanja: do 13.400 MB/s
- Hitrost naključnega branja (IOPS, QD32): do 2.200K
- Hitrost naključnega pisanja (IOPS, QD32): do 2.600K
- Intelligent TurboWrite 2.0 predpomnilnik: 442 GB
- Poraba energije – aktivno: 9,0 W / 8,2 W
- Poraba energije – v mirovanju: 6,5 mW / 5,7 mW
- Enkripcija podatkov: Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
- Vzdržljivost (TBW): 2.400 TBW