Samsung 9100 Pro HeatSink je izjemno hiter NVMe 2.0 M.2 SSD z vodilom PCIe 5.0 x4 in kapaciteto 4 TB, zasnovan za najzahtevnejše uporabnike. Dosega hitrosti branja do 14.800 MB/s in pisanja do 13.400 MB/s, zato je idealen za oblikovalce, fotografe, video urednike, delo z umetno inteligenco ter igranje najnovejših iger.
Vgrajen hladilnik učinkovito odvaja toploto in ohranja stabilno delovanje tudi pri dolgotrajnih obremenitvah. Napredni 5 nm krmilnik in optimizirano hlajenje poskrbita za visoko učinkovitost, nizko porabo energije ter stalno visoke hitrosti brez upočasnitev.
PCIe 5.0 hitrosti
Pohitrite svoje delo in igre s PCIe 5.0 hitrostmi branja in pisanja. Velike datoteke se prenašajo, kopirajo in premikajo do 2x hitreje kot na Samsung 990 Pro, kar občutno zmanjša čakalne dobe pri profesionalnem delu in zahtevnih igrah.
Vrhunska odzivnost in večopravilnost
Samsung 9100 Pro dosega hitrosti naključnega branja do 2.200.000 IOPS in pisanja do 2.600.000 IOPS (odvisno od kapacitete). To omogoča izjemno hitro nalaganje iger, bliskovito večopravilnost ter učinkovito delo z zahtevnimi AI in ustvarjalnimi delovnimi tokovi.
Široka kompatibilnost
9100 Pro je združljiv s prenosniki in namiznimi računalniki z M.2 2280 režo ter podpira različne zmogljivostne konfiguracije. Odlično se izkaže v video produkciji, grafičnem oblikovanju in pri igranju iger, kjer so hitrost, stabilnost in zanesljivost ključnega pomena.
Hlajen in energetsko učinkovit
Disk je opremljen s 5 nm kontrolerjem, ki je do 49 % učinkovitejši pri porabi energije kot pri modelu 990 Pro. Vgrajen hladilnik in optimizirano upravljanje toplote zagotavljata konsistentno delovanje brez toplotnega dušenja tudi pri daljših intenzivnih obremenitvah.
Napredna zaščita podatkov
Z enkripcijo Class 0 (AES 256), podporo TCG/Opal 2.0 in MS eDrive (IEEE1667) disk nudi visoko stopnjo varnosti podatkov. To je še posebej pomembno za profesionalce in podjetja, ki obdelujejo občutljive ali poslovno kritične informacije.
Tehnične lastnosti:
- Format diska: M.2, M.2 2280
- Vodilo: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
- Kapaciteta: 4 TB (4.000 GB)
- Tip čipov / NAND: Samsung V-NAND TLC (V8)
- Kontroler: Samsung, 5 nm
- Cache pomnilnik: 4 GB LPDDR4X
- Hitrost sekvenčnega branja: do 14.800 MB/s
- Hitrost sekvenčnega pisanja: do 13.400 MB/s
- Naključno branje (IOPS, QD32): do 2.200.000 IOPS (2200K)
- Naključno pisanje (IOPS, QD32): do 2.600.000 IOPS (2600K)
- Intelligent TurboWrite 2.0: 442 GB
- Vzdržljivost (TBW): 2.400 TB / 2400 TBW
- Opremljen s hladilnimi režami za boljše odvajanje toplote med delovanjem
- Poraba energije – aktivno: 9,0 W / 8,2 W
- Poraba energije – v mirovanju: 6,5 mW / 5,7 mW
- Enkripcija podatkov: Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)