Samsung 9100 Pro je izjemno hiter NVMe M.2 SSD disk z vodilom PCIe 5.0 x4 in kapaciteto 2 TB. Dosega izjemne hitrosti branja do 14.700 MB/s in pisanja do 13.400 MB/s, zato je odlična izbira za oblikovalce, fotografe, video urednike, ustvarjanje z umetno inteligenco ter zahtevne igralce iger, ki potrebujejo maksimalno zmogljivost in odzivnost.
Pogon temelji na Samsung V-NAND TLC (V8) tehnologiji, uporablja napreden 5 nm krmilnik in vključuje 2 GB LPDDR4X predpomnilnika. Optimizirano hlajenje in visoka energijska učinkovitost zagotavljata stabilno delovanje brez upočasnitev tudi pri dolgotrajnih obremenitvah.
PCIe 5.0 hitrosti
Pohitrite delo in igre s PCIe 5.0 hitrostmi branja in pisanja. Velike datoteke se prenašajo, kopirajo in premikajo do 2x hitreje kot na Samsung 990 Pro, kar občutno skrajša čase nalaganja in izvoza projektov.
Vrhunska naključna zmogljivost
Samsung 9100 Pro dosega hitrosti naključnega branja do 1.850.000 IOPS in pisanja do 2.600.000 IOPS (odvisno od kapacitete). To omogoča hitro ustvarjanje z umetno inteligenco, bliskovito nalaganje iger, gladko večopravilnost ter učinkovito delo pri oblikovanju in montaži videa.
Široka kompatibilnost
Disk v obliki M.2 2280 je združljiv s številnimi prenosniki in namiznimi računalniki, ki podpirajo PCIe 5.0 ali PCIe NVMe vmesnik. Zaradi visoke zmogljivosti je odličen za video produkcijo, napredne ustvarjalne delovne procese in igranje najnovejših iger.
Hlajen in energijsko učinkovit
Vgrajeni 5 nm kontroler je do 49 % učinkovitejši pri porabi energije kot pri modelu 990 Pro, optimizirano hlajenje pa skrbi za konsistentno delovanje brez toplotnega dušenja. Tako disk ostane hiter in zanesljiv tudi pri intenzivnih obremenitvah.
Napredne funkcije za varnost podatkov
Samsung 9100 Pro podpira šifriranje podatkov AES 256 (Class 0), TCG/Opal v2.0 in MS eDrive (IEEE1667). To zagotavlja visoko raven varnosti za občutljive podatke v profesionalnih in osebnih okoljih.
Tehnične lastnosti:
- Format diska: M.2 2280
- Vmesnik / vodilo: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
- Kapaciteta: 2 TB (2.000 GB)
- Tip čipov (NAND): Samsung V-NAND TLC (V8)
- Kontroler: Samsung (5 nm)
- Predpomnilnik (cache): 2 GB LPDDR4X
- Hitrost sekvenčnega branja: do 14.700 MB/s
- Hitrost sekvenčnega pisanja: do 13.400 MB/s
- Naključno branje (IOPS, QD32): do 1.850.000 IOPS
- Naključno pisanje (IOPS, QD32): do 2.600.000 IOPS
- Intelligent TurboWrite 2.0: 226 GB
- Poraba energije – aktivno delovanje: 8,1 W / 7,9 W
- Poraba energije – mirovanje: 4,8 mW / 4,0 mW
- Enkripcija podatkov: Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
- Vzdržljivost (TBW): 1.200 TBW