SAMSUNG vgradni SSD disk 9100 Pro M.2 2280/1 TB/PCIe 5.0 NVMe/MZ-VAP1T0CW

Samsung 9100 Pro HeatSink je izjemno hiter NVMe 2.0 SSD disk formata M.2 2280 z vodilom PCIe 5.0 x4 in kapaciteto 1 TB. Dosega hitrosti branja do 14.700 MB/s in pisanja do 13.300 MB/s, zato je odlična izbira za oblikovalce, fotografe, video urednike, ustvarjanje z umetno inteligenco in zahtevne igralce iger.

Disk je opremljen z učinkovitim hladilnikom, ki izboljša odvajanje toplote pri dolgotrajnih obremenitvah in zagotavlja stabilno delovanje brez upočasnitev. 5 nm Samsung kontroler ter napredne funkcije, kot sta Intelligent TurboWrite 2.0 in podpora za strojno šifriranje, poskrbijo za visoko zmogljivost, energetsko učinkovitost in varnost podatkov.

PCIe 5.0 hitrosti
S podporo za PCIe 5.0 x4 SSD občutno pospeši nalaganje sistema, iger in zahtevnih aplikacij. Velike datoteke se prenašajo, kopirajo in premikajo do približno dvakrat hitreje kot na modelu Samsung 990 Pro, kar skrajša čakalne čase pri profesionalnem delu in zabavi.

Izjemna naključna zmogljivost
Samsung 9100 Pro dosega hitrosti naključnega branja do 1.850.000 IOPS in pisanja do 2.600.000 IOPS (odvisno od kapacitete). To omogoča hitro ustvarjanje vsebin z umetno inteligenco, kratke čase nalaganja iger, odzivno večopravilnost ter tekoče delo v zahtevnih ustvarjalnih programih.

Široka kompatibilnost
Disk je združljiv s številnimi prenosniki in namiznimi računalniki, ki podpirajo M.2 2280 PCIe NVMe SSD-je. Zaradi visoke zmogljivosti in zanesljivega delovanja je primeren za video produkcijo, grafično oblikovanje, profesionalne delovne postaje in sodobne gaming računalnike.

Hlajen in energetsko učinkovit
Integriran hladilnik s hladilnimi režami izboljša odvajanje toplote in ohranja stabilno delovanje pri dolgotrajni obremenitvi. 5 nm Samsung kontroler je do 49 % učinkovitejši pri porabi energije kot pri modelu 990 Pro, zato disk porabi manj energije pri enaki ali višji zmogljivosti.

Napredne funkcije in varnost podatkov
Intelligent TurboWrite 2.0 z 114 GB predpomnilnika poskrbi za vztrajno visoke hitrosti pisanja tudi pri večjih prenosih podatkov. Podprte so napredne možnosti šifriranja (AES 256-bit, TCG/Opal 2.0, MS eDrive), ki ščitijo vaše podatke v profesionalnih in osebnih okoljih.

Tehnične lastnosti:

• Format diska / oblika: M.2 2280
• Vodilo: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
• Kapaciteta: 1 TB (1.000 GB)
• Tip čipov / NAND: Samsung V-NAND TLC (V8)
• Kontroler: Samsung, 5 nm
• Vgrajen hladilnik z režami za boljše odvajanje toplote
• Cache pomnilnik: 1 GB LPDDR4X
• Hitrost sekvenčnega branja: do 14.700 MB/s
• Hitrost sekvenčnega pisanja: do 13.300 MB/s
• Naključno branje (IOPS, QD32): do 1.850.000 IOPS
• Naključno pisanje (IOPS, QD32): do 2.600.000 IOPS
• Intelligent TurboWrite 2.0: 114 GB
• Napajanje, aktivno delovanje: 7,6 W / 7,2 W
• Napajanje, v mirovanju: 4,0 mW / 3,3 mW
• Enkripcija podatkov: Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
• Vzdržljivost (TBW): 600 TBW