SAMSUNG vgradni SSD disk 9100 Pro M.2 2280/1 TB/PCIe 5.0 NVMe/MZ-VAP1T0BW

Samsung 9100 Pro je izjemno hiter NVMe M.2 SSD s PCIe 5.0 x4 vodilom in kapaciteto 1 TB. Dosega hitrosti branja do 14.700 MB/s in pisanja do 13.300 MB/s, zato je idealen za oblikovalce, fotografe, video urednike, delo z umetno inteligenco in zahtevne igralce iger.

Napredni 5 nm kontroler in optimizirano hlajenje zagotavljata visoko zmogljivost pri nizki porabi energije ter stabilno delovanje brez upočasnitev tudi pri dolgih in intenzivnih obremenitvah.

PCIe 5.0 hitrosti
S podporo za PCIe 5.0 Samsung 9100 Pro močno pohitri prenos, kopiranje in premikanje velikih datotek. V primerjavi z modelom Samsung 990 Pro omogoča do 2-krat hitrejše delovanje, kar občutno skrajša čase nalaganja sistema, programov in iger.

Spoznajte hitrost
Samsung 9100 Pro dosega hitrosti naključnega branja do 1.850.000 IOPS in pisanja do 2.600.000 IOPS (odvisno od kapacitete). To poskrbi za izjemno hitro večopravilnost, nalaganje iger, delo z velikimi projekti ter učinkovito ustvarjanje z umetno inteligenco in v profesionalnih oblikovalskih orodjih.

Široka kompatibilnost
Disk v formatu M.2 2280 je združljiv s številnimi prenosniki in namiznimi računalniki, ki podpirajo NVMe PCIe vodilo. Zaradi visoke zmogljivosti in različnih kapacitet je odlična izbira za video produkcijo, grafično oblikovanje in zahtevno igranje iger.

Hladen in energetsko učinkovit
Vgrajen 5 nm Samsung kontroler je do 49 % učinkovitejši pri porabi energije kot pri modelu 990 Pro. Optimiziran sistem hlajenja omogoča konsistentno delovanje brez toplotnega dušenja, zato disk ohranja visoke hitrosti tudi pri daljših obremenitvah.

Napredna zaščita podatkov
Samsung 9100 Pro podpira napredne standarde šifriranja podatkov, kot so AES 256-bit, TCG/Opal 2.0 in MS eDrive (IEEE1667). To zagotavlja varno shranjevanje občutljivih podatkov in je primerno za profesionalna okolja ter poslovno rabo.

Tehnične lastnosti:

• Format diska: M.2 2280
• Tip diska: NVMe SSD
• Vodilo: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
• Kapaciteta: 1 TB (1.000 GB)
• NAND: Samsung V-NAND TLC (V8)
• Tip čipov: V-NAND TLC
• Kontroler: Samsung (5 nm)
• Cache pomnilnik: 1 GB LPDDR4X
• Hitrost sekvenčnega branja: do 14.700 MB/s
• Hitrost sekvenčnega pisanja: do 13.300 MB/s
• Naključno branje (IOPS, QD32): do 1.850.000 IOPS
• Naključno zapisovanje (IOPS, QD32): do 2.600.000 IOPS
• Inteligentni TurboWrite 2.0: 114 GB
• Vzdržljivost (TBW): 600 TBW

Poraba energije:

• Poraba pri aktivnem delovanju: 7,6 W / 7,2 W
• Poraba v mirovanju: 4,0 mW / 3,3 mW

Varnost in šifriranje:

• Enkripcija podatkov: Class 0 (AES 256-bit)
• Podpora: TCG/Opal v2.0
• Podpora: MS eDrive (IEEE1667)