SAMSUNG vgradni SSD disk 9100 PRO M.2 2280/8 TB/PCIe 5.0 NVMe/MZ-VAP8T0BW

Samsung 9100 Pro je vrhunski SSD disk z izjemno kapaciteto 8 TB, zasnovan za najzahtevnejše uporabnike, ki potrebujejo impresivno hitrost, zanesljivost in učinkovito delovanje. S sodobnim vmesnikom PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 omogoča do 14.800 MB/s hitrosti branja in do 13.400 MB/s hitrosti zapisovanja, kar zagotavlja dvakrat višje hitrosti v primerjavi s prejšnjimi generacijami. Idealen je za intenzivno uporabo pri ustvarjanju vsebin, igrah, profesionalni video produkciji in zahtevnih aplikacijah umetne inteligence.

Napreden 5nm kontroler in izboljšano hlajenje poskrbita za optimalno učinkovitost, nižjo porabo energije ter stalno hitro odzivnost, tudi pri večopravilnosti ali prenosu zelo velikih datotek. Disk se ponaša s široko združljivostjo za prenosnike in namizne računalnike, hkrati pa vključuje napredno zaščito podatkov z AES 256-bitno enkripcijo.

Izjemna PCIe 5.0 hitrost
Velike datoteke lahko prenašate, kopirate in premikate kar dvakrat hitreje kot pri prejšnji generaciji. Samsung 9100 Pro zagotavlja najvišjo zmogljivost za profesionalne in zahtevne uporabnike.

Najvišji IOPS za večopravilnost
Disk dosega hitrosti naključnega branja do 2.200.000 in pisanja do 2.600.000 IOPS (odvisno od kapacitete), kar omogoča bliskovito hitro ustvarjanje z umetno inteligenco, hitro nalaganje iger in brezhibno oblikovanje kompleksnih projektov.

Napredno hlajenje in nizka poraba
5nm kontroler omogoča kar 49 % večjo energijsko učinkovitost v primerjavi s prejšnjimi rešitvami. Optimizirano hlajenje skrbi za konstantno delovanje brez upočasnitev tudi pri dolgotrajni obremenitvi.

Široka kompatibilnost
9100 Pro je primeren za uporabo v najnovejših prenosnikih in namiznih računalnikih ter je posebej prilagojen za video produkcijo, oblikovanje in gaming.

Napredna zaščita podatkov
Vgrajene tehnologije enkripcije (AES 256, TCG/Opal 2.0, MS eDrive) poskrbijo za visoko raven varnosti vaših datotek in zasebnosti.

Tehnične lastnosti:

• Vodilo: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
• Oblika: M.2 2280
• NAND flash: Samsung V-NAND TLC
• Kontroler: Samsung 5nm
• Cache pomnilnik: 4 GB LPDDR4X
• Kapaciteta: 8 TB
• Hitrost sekvenčnega branja: do 14.800 MB/s
• Hitrost sekvenčnega zapisovanja: do 13.400 MB/s
• Hitrost naključnega branja (IOPS, QD32): do 2.200.000
• Hitrost naključnega zapisovanja (IOPS, QD32): do 2.600.000
• Poraba energije (aktivno): 10,5 W / 8,8 W
• Poraba energije (v mirovanju): 8,6 mW
• Enkripcija podatkov: Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)